STP190N55LF3

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STP190N55LF3

零件编号：

STP190N55LF3

产品分类：

制造商：

STMicroelectronics

描述：

MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3

封装：

Tube

包装：

数量：

2281

RoHS 状态：

PDF：

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$1170

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产品参数

安装类型

Through Hole

零件状态

Active

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管特性

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

等级

认证

封装 / 外壳

TO-220-3

供应商器件封装

TO-220

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

5V, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

2.5V @ 250µA

漏极至源极电压 (Vdss)

55 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

120A (Tc)

最大功耗

312W (Tc)

最大栅源电压

±18V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

6200 pF @ 25 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

3.7mOhm @ 30A, 10V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

80 nC @ 5 V

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