IRF5803D2TRPBF

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IRF5803D2TRPBF

零件编号：

IRF5803D2TRPBF

产品分类：

制造商：

Infineon Technologies

描述：

MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO

封装：

Tape & Reel (TR)

包装：

SOP

数量：

1600

RoHS 状态：

NO

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产品参数

零件状态

Obsolete

安装类型

Surface Mount

封装 / 外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商器件封装

8-SO

技术

MOSFET (Metal Oxide)

最大栅源电压

±20V

等级

-

认证

-

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

场效应晶体管类型

P-Channel

最大功耗

2W (Ta)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

4.5V, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

3V @ 250µA

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

3.4A (Ta)

场效应晶体管特性

Schottky Diode (Isolated)

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

37 nC @ 10 V

漏极至源极电压 (Vdss)

40 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

112mOhm @ 3.4A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1110 pF @ 25 V

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