IRF640NPBF

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IRF640NPBF

零件编号：

IRF640NPBF

产品分类：

制造商：

Infineon Technologies

描述：

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

封装：

Tube

包装：

TO-220

数量：

39454

RoHS 状态：

PDF：

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$75

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$570

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$2350

10000

$0.47

$4700

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产品参数

安装类型

Through Hole

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

等级

认证

供应商器件封装

TO-220AB

封装 / 外壳

TO-220-3

零件状态

Not For New Designs

漏极至源极电压 (Vdss)

200 V

最大功耗

150W (Tc)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

18A (Tc)

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

67 nC @ 10 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

150mOhm @ 11A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1160 pF @ 25 V

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