STP13NM60ND

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STP13NM60ND

零件编号：

STP13NM60ND

产品分类：

制造商：

STMicroelectronics

描述：

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

封装：

Tube

包装：

数量：

1630

RoHS 状态：

NO

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产品参数

安装类型

Through Hole

零件状态

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场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

场效应晶体管特性

-

等级

-

认证

-

封装 / 外壳

TO-220-3

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

11A (Tc)

供应商器件封装

TO-220

漏极至源极电压 (Vdss)

600 V

最大栅源电压

±25V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

5V @ 250µA

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

380mOhm @ 5.5A, 10V

最大功耗

109W (Tc)

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

24.5 nC @ 10 V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

845 pF @ 50 V

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