STD30NF06LT4
零件编号:
STD30NF06LT4
产品分类:
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
封装:
Cut Tape (CT)
包装:
TO-252
数量:
14752
RoHS 状态:
NO
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PDF:
数量
价格
总价
1
$1.75
$1.75
10
$1.23
$12.3
100
$0.88
$88
500
$0.7
$350
1000
$0.64
$640
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1600 pF @ 25 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
供应商器件封装
DPAK
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
35A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
28mOhm @ 18A, 10V
最大功耗
70W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
31 nC @ 5 V