STB80N4F6AG
零件编号:
STB80N4F6AG
产品分类:
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
封装:
Cut Tape (CT)
包装:
数量:
2520
RoHS 状态:
NO
分享:
PDF:
数量
价格
总价
1
$2.33
$2.33
10
$1.63
$16.3
100
$1.22
$122
500
$0.99
$495
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
供应商器件封装
TO-263 (D2PAK)
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
6mOhm @ 40A, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
80A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
36 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
最大功耗
70W (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2150 pF @ 25 V