STB31N65M5

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STB31N65M5

零件编号：

STB31N65M5

产品分类：

制造商：

STMicroelectronics

描述：

MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

数量：

1600

RoHS 状态：

NO

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

场效应晶体管特性

-

等级

-

认证

-

最大功耗

150W (Tc)

工作温度

150°C (TJ)

供应商器件封装

TO-263 (D2PAK)

封装 / 外壳

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

22A (Tc)

最大栅源电压

±25V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

45 nC @ 10 V

漏极至源极电压 (Vdss)

650 V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

5V @ 250µA

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

148mOhm @ 11A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1865 pF @ 100 V

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