SIHD2N80E-GE3

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SIHD2N80E-GE3

零件编号：

SIHD2N80E-GE3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

封装：

Tube

包装：

数量：

1600

RoHS 状态：

PDF：

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总价

$1.82

$1.26

$12.6

100

$0.94

$94

500

$0.77

$385

1000

$0.68

$680

3000

$0.6

$1800

6000

$0.58

$3480

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

封装 / 外壳

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

漏极至源极电压 (Vdss)

800 V

最大栅源电压

±30V

供应商器件封装

TO-252AA

最大功耗

62.5W (Tc)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

2.8A (Tc)

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

19.6 nC @ 10 V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

315 pF @ 100 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

2.75Ohm @ 1A, 10V

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