IRFH3702TR2PBF

首页产品中心

IRFH3702TR2PBF

零件编号：

IRFH3702TR2PBF

产品分类：

制造商：

Infineon Technologies

描述：

MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

QFN8

数量：

1600

RoHS 状态：

NO

分享：

PDF：

询价

产品参数

零件状态

Obsolete

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管特性

-

漏极至源极电压 (Vdss)

30 V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

14 nC @ 4.5 V

封装 / 外壳

8-PowerVDFN

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

2.35V @ 25µA

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

16A (Ta), 42A (Tc)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

7.1mOhm @ 16A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1510 pF @ 15 V

供应商器件封装

8-PQFN (3x3)

最新产品

IRF640NPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

Infineon Technologies

FDD6680A

MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK

IRF5803D2TRPBF

MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO

Infineon Technologies

IRFU420

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA

Vishay Siliconix

STP30NF10

MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB

STMicroelectronics

STP130N10F3

MOSFET N-CH 100V 120A TO220

STMicroelectronics

IRLR014

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

Vishay Siliconix

IRLML2502TRPBF

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Infineon Technologies

香港世东电子科技有限公司

地址：深圳市福田区中航路都会轩3402室

联系电话：0755-83483730 邮箱：president@sdes-ic.com

Copyright@2025 All Rights Reserved 技术支持：集群科技