FDS5680
零件编号:
FDS5680
产品分类:
制造商:
onsemi
描述:
MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
封装:
Tape & Reel (TR)
包装:
SOP8
数量:
1600
RoHS 状态:
NO
分享:
PDF:
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
封装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商器件封装
8-SOIC
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
最大功耗
2.5W (Ta)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
8A (Ta)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
42 nC @ 10 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
20mOhm @ 8A, 10V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
6V, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1850 pF @ 15 V