FDN352AP

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FDN352AP

零件编号：

FDN352AP

产品分类：

制造商：

onsemi

描述：

MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

SOT23

数量：

52842

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管特性

等级

认证

封装 / 外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装

SOT-23-3

场效应晶体管类型

P-Channel

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

1.3A (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

2.5V @ 250µA

工作温度

-55°C ~ 155°C (TJ)

最大功耗

500mW (Ta)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

4.5V, 10V

漏极至源极电压 (Vdss)

30 V

最大栅源电压

±25V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

150 pF @ 15 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

180mOhm @ 1.3A, 10V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

1.9 nC @ 4.5 V

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