DMN3730UFB4-7B
零件编号:
DMN3730UFB4-7B
产品分类:
制造商:
Diodes Incorporated
描述:
MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
封装:
Cut Tape (CT)
包装:
SMD
数量:
2231
RoHS 状态:
NO
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PDF:
数量
价格
总价
1
$0.36
$0.36
10
$0.21
$2.1
100
$0.09
$9
500
$0.09
$45
1000
$0.08
$80
2000
$0.08
$160
5000
$0.07
$350
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
最大栅源电压
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
950mV @ 250µA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
1.8V, 4.5V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
750mA (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
460mOhm @ 200mA, 4.5V
供应商器件封装
X2-DFN1006-3
封装 / 外壳
3-XFDFN
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
64.3 pF @ 25 V
最大功耗
470mW (Ta)