DMN2600UFB-7

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DMN2600UFB-7

零件编号：

DMN2600UFB-7

产品分类：

制造商：

Diodes Incorporated

描述：

MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

SMD

数量：

8529

RoHS 状态：

NO

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管特性

-

等级

-

认证

-

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

1.3A (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

1V @ 250µA

最大栅源电压

±8V

最大功耗

540mW (Ta)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

1.8V, 4.5V

漏极至源极电压 (Vdss)

25 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

350mOhm @ 200mA, 4.5V

封装 / 外壳

3-UFDFN

供应商器件封装

X1-DFN1006-3

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

0.85 nC @ 4.5 V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

70.13 pF @ 15 V

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