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SI1026X-T1-GE3
- 零件编号：
- SI1026X-T1-GE3
- 产品分类：
- -
- 制造商：
- Vishay Siliconix
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 数量：
- 286144
- RoHS 状态：
- 支持
起订量：1
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.84 | $0.84 |
| 10+ | $0.52 | $5.2 |
| 100+ | $0.34 | $34 |
| 500+ | $0.26 | $130 |
| 1000+ | $0.23 | $230 |
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2.5V @ 250µA |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| 场效应晶体管特性 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 60V |
| 封装 / 外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 最大功率 | 250mW |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 305mA |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 1.4Ohm @ 500mA, 10V |
| 供应商器件封装 | SC-89 (SOT-563F) |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 30pF @ 25V |
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