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QS8M13TCR
- 零件编号：
- QS8M13TCR
- 产品分类：
- -
- 制造商：
- Rohm Semiconductor
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
- 封装：
- -
- 包装：
- Tape & Reel (TR)
- 数量：
- 0
- RoHS 状态：
- 支持
- PDF：
- -
起订量：0
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| - | ||
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2.5V @ 1mA |
| 配置 | N and P-Channel |
| 场效应晶体管特性 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 30V |
| 最大功率 | 1.5W |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 28mOhm @ 6A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 5.5nC @ 5V |
| 封装 / 外壳 | 8-SMD, Flat Leads |
| 供应商器件封装 | TSMT8 |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 6A, 5A |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 390pF @ 10V |
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