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起订量:1
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.43 | $0.43 |
| 10+ | $0.35 | $3.5 |
| 100+ | $0.23 | $23 |
| 500+ | $0.17 | $85 |
| 1000+ | $0.14 | $140 |
| 2000+ | $0.13 | $260 |
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 | 950mV @ 250µA |
| 封装 / 外壳 | 6-XFDFN Exposed Pad |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 590mA |
| 供应商器件封装 | DFN1010B-6 |
| 最大功率 | 285mW |
| 导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 | 670mOhm @ 590mA, 4.5V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 1.05nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 30.3pF @ 15V |