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| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| - | ||
| 零件状态 | Obsolete |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 20V |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | - |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 4A |
| 最大功率 | 150mW |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 | 1.3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1100pF @ 10V |
| 封装 / 外壳 | 8-SMD, Flat Leads |
| 导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 | 25mOhm @ 2A, 4V |
| 供应商器件封装 | WSMINI8-F1-B |