FDS8333C

零件编号:
FDS8333C
产品分类:
-
制造商:
onsemi
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A 8SOIC
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
数量:
1600
RoHS 状态:
支持
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起订量:0

数量 价格 总价
-

产品参数

零件状态 Obsolete
安装类型 Surface Mount
封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术 MOSFET (Metal Oxide)
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
供应商器件封装 8-SOIC
配置 N and P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 3V @ 250µA
场效应晶体管特性 Logic Level Gate
漏极至源极电压 (Vdss) 30V
最大功率 900mW
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 4.1A, 3.4A
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 80mOhm @ 4.1A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 282pF @ 10V