SI7913DN-T1-E3

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SI7913DN-T1-E3

零件编号：

SI7913DN-T1-E3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212

封装：

Tape & Reel (TR)

包装：

QFN8

数量：

1893

RoHS 状态：

NO

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产品参数

零件状态

Obsolete

安装类型

Surface Mount

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

漏极至源极电压 (Vdss)

20V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

1V @ 250µA

场效应晶体管特性

Logic Level Gate

配置

2 P-Channel (Dual)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

5A

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

-

最大功率

1.3W

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

24nC @ 4.5V

封装 / 外壳

PowerPAK® 1212-8 Dual

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8 Dual

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

37mOhm @ 7.4A, 4.5V

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