SI4936CDY-T1-GE3

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SI4936CDY-T1-GE3

零件编号：

SI4936CDY-T1-GE3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

SOP8

数量：

8588

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

封装 / 外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

供应商器件封装

8-SOIC

配置

2 N-Channel (Dual)

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

3V @ 250µA

场效应晶体管特性

Logic Level Gate

漏极至源极电压 (Vdss)

30V

最大功率

2.3W

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

9nC @ 10V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

40mOhm @ 5A, 10V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

5.8A

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

325pF @ 15V

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