中文
中文
English
首页
产品中心
热销产品 (185048)
品牌
询价
资讯
技术资讯
关于我们
公司介绍
企业文化
库房实拍
联系我们
联系我们
质量控制
质量控制
首页
产品中心
品牌
询价
资讯
关于我们
联系我们
质量控制
中文
English
首页
产品中心
SH8M11TB1
零件编号:
SH8M11TB1
产品分类:
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
封装:
Tape & Reel (TR)
包装:
SOP-8
数量:
1600
RoHS 状态:
NO
分享:
PDF:
询价
数量
发送询价单
数量
价格
总价
2500
$0.34
$850
5000
$0.32
$1600
7500
$0.3
$2250
12500
$0.29
$3625
17500
$0.28
$4900
获取报价信息
产品参数
安装类型
Surface Mount
封装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
零件状态
Not For New Designs
工作温度
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 1mA
配置
N and P-Channel
最大功率
2W
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
供应商器件封装
8-SOP
漏极至源极电压 (Vdss)
30V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
3.5A
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
98mOhm @ 3.5A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.9nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
85pF @ 10V
最新产品
ZXMHC6A07N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Diodes Incorporated
IRF7389TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Infineon Technologies
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
NVDD5894NLT4G
MOSFET 2N-CH 40V 14A 5DPAK
onsemi
IRF9952TR
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Infineon Technologies
SI7540ADP-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Vishay Siliconix
FDS9945
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
onsemi
SI9945BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Vishay Siliconix
在线服务
服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
0755-83483730 / 23823366
在线服务
服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
president@sdes-ic.com