CSD87312Q3E

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CSD87312Q3E

零件编号：

CSD87312Q3E

产品分类：

制造商：

Texas Instruments

描述：

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

VSON8

数量：

2631

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

场效应晶体管特性

Logic Level Gate

最大功率

2.5W

漏极至源极电压 (Vdss)

30V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

配置

2 N-Channel (Dual) Common Source

封装 / 外壳

8-PowerTDFN

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

1.3V @ 250µA

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1250pF @ 15V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

27A

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

33mOhm @ 7A , 8V

供应商器件封装

8-VSON (3.3x3.3)

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