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起订量:466
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 466+ | $0.7 | $326.2 |
| 零件状态 | Obsolete |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 最大栅源电压 | ±20V |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 60 V |
| 工作温度 | 150°C |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 | 2.5V @ 1mA |
| 最大功耗 | 2W (Ta) |
| 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) | 4V, 10V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 190 pF @ 10 V |
| 封装 / 外壳 | 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| 导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 | 150mOhm @ 2.5A, 10V |
| 供应商器件封装 | 8-PowerSOP |