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起订量:1
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.01 | $1.01 |
| 10+ | $0.74 | $7.4 |
| 100+ | $0.49 | $49 |
| 500+ | $0.38 | $190 |
| 1000+ | $0.34 | $340 |
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装 / 外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 20 V |
| 最大功耗 | 2.5W (Tc) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| 最大栅源电压 | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 | 600mV @ 250µA (Min) |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 460 pF @ 15 V |
| 导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 | 40mOhm @ 3A, 4.5V |
| 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) | 1.95V, 4.5V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 11.5 nC @ 4.5 V |