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SIRA10BDP-T1-GE3
- 零件编号：
- SIRA10BDP-T1-GE3
- 产品分类：
- -
- 制造商：
- Vishay Siliconix
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 数量：
- 0
- RoHS 状态：
- 支持
起订量：1
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.24 | $1.24 |
| 10+ | $0.85 | $8.5 |
| 100+ | $0.56 | $56 |
| 500+ | $0.43 | $215 |
| 1000+ | $0.39 | $390 |
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 30 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2.4V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 36.2 nC @ 10 V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装 / 外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1710 pF @ 15 V |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 3.6mOhm @ 10A, 10V |
| 最大栅源电压 | +20V, -16V |
| 最大功耗 | 5W (Ta), 43W (Tc) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 60A (Tc) |
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