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SI6463BDQ-T1-E3
- 零件编号：
- SI6463BDQ-T1-E3
- 产品分类：
- -
- 制造商：
- Vishay Siliconix
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 数量：
- 1600
- RoHS 状态：
- 支持
起订量：0
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| - | ||
产品参数
| 零件状态 | Obsolete |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 场效应晶体管类型 | P-Channel |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 20 V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 60 nC @ 5 V |
| 封装 / 外壳 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 800mV @ 250µA |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 15mOhm @ 7.4A, 4.5V |
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