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SI4421DY-T1-E3
- 零件编号：
- SI4421DY-T1-E3
- 产品分类：
- -
- 制造商：
- Vishay Siliconix
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 数量：
- 4268
- RoHS 状态：
- 支持
起订量：1
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.52 | $3.52 |
| 10+ | $2.29 | $22.9 |
| 100+ | $1.59 | $159 |
| 500+ | $1.29 | $645 |
| 1000+ | $1.19 | $1190 |
产品参数
| 零件状态 | Obsolete |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装 / 外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 场效应晶体管类型 | P-Channel |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 20 V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| 最大栅源电压 | ±8V |
| 最大功耗 | 1.5W (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 1.8V, 4.5V |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 8.75mOhm @ 14A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 800mV @ 850µA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 125 nC @ 4.5 V |
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