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SI2312BDS-T1-GE3
- 零件编号：
- SI2312BDS-T1-GE3
- 产品分类：
- -
- 制造商：
- Vishay Siliconix
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 数量：
- 16662
- RoHS 状态：
- 支持
起订量：1
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.95 | $0.95 |
| 10+ | $0.59 | $5.9 |
| 100+ | $0.38 | $38 |
| 500+ | $0.29 | $145 |
| 1000+ | $0.26 | $260 |
产品参数
| 零件状态 | Obsolete |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 封装 / 外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 20 V |
| 最大功耗 | 750mW (Ta) |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 最大栅源电压 | ±8V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 3.9A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 1.8V, 4.5V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 31mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 850mV @ 250µA |
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