联系电话：
0755-83483730
PMV45EN2R
- 零件编号：
- PMV45EN2R
- 产品分类：
- -
- 制造商：
- Nexperia USA Inc.
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 数量：
- 1328
- RoHS 状态：
- 支持
起订量：1
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.45 | $0.45 |
| 10+ | $0.28 | $2.8 |
| 100+ | $0.18 | $18 |
| 500+ | $0.17 | $85 |
| 1000+ | $0.15 | $150 |
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 最大栅源电压 | ±20V |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 封装 / 外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2V @ 250µA |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 30 V |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta) |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 6.3 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 209 pF @ 15 V |
| 最大功耗 | 510mW (Ta), 5W (Tc) |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 42mOhm @ 4.1A, 10V |
最新产品
