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起订量:1
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.97 | $0.97 |
| 10+ | $0.67 | $6.7 |
| 100+ | $0.49 | $49 |
| 500+ | $0.41 | $205 |
| 1000+ | $0.38 | $380 |
| 2000+ | $0.35 | $700 |
| 零件状态 | Last Time Buy |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装 / 外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 最大栅源电压 | ±20V |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 场效应晶体管类型 | P-Channel |
| 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) | 4.5V, 10V |
| 最大功耗 | 2.5W (Ta) |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 40 V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| 导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 | 41mOhm @ 6.2A, 10V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 3220 pF @ 25 V |