IRF6668TR1PBF

零件编号:
IRF6668TR1PBF
产品分类:
-
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
封装:
-
包装:
Tape & Reel (TR)
数量:
0
RoHS 状态:
支持
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起订量:0

数量 价格 总价
-

产品参数

零件状态 Obsolete
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V
最大栅源电压 ±20V
场效应晶体管特性 -
等级 -
认证 -
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 31 nC @ 10 V
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 55A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss) 80 V
最大功耗 2.8W (Ta), 89W (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1320 pF @ 25 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4.9V @ 100µA
供应商器件封装 DIRECTFET™ MZ
封装 / 外壳 DirectFET™ Isometric MZ
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 15mOhm @ 12A, 10V