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IPD60R650CEATMA1
- 零件编号：
- IPD60R650CEATMA1
- 产品分类：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
- 封装：
- -
- 包装：
- Tape & Reel (TR)
- 数量：
- 0
- RoHS 状态：
- 支持
起订量：0
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| - | ||
产品参数
| 零件状态 | Obsolete |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 10V |
| 最大栅源电压 | ±20V |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 封装 / 外壳 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 600 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| 最大功耗 | 63W (Tc) |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 3.5V @ 200µA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 650mOhm @ 2.4A, 10V |
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