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起订量:984
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 984+ | $0.33 | $324.72 |
| 零件状态 | Obsolete |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 场效应晶体管类型 | P-Channel |
| 工作温度 | 150°C |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| 最大栅源电压 | ±8V |
| 封装 / 外壳 | 6-SMD, Flat Leads |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 12 V |
| 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) | 1.8V, 4.5V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| 最大功耗 | 900mW (Ta) |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 | 1.2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 940 pF @ 10 V |
| 供应商器件封装 | 6-CMFPAK |
| 导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 | 54mOhm @ 1.5A, 4.5V |