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起订量:1
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.53 | $0.53 |
| 10+ | $0.36 | $3.6 |
| 100+ | $0.26 | $26 |
| 500+ | $0.19 | $95 |
| 1000+ | $0.17 | $170 |
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 100 V |
| 最大栅源电压 | ±20V |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 等级 | Automotive |
| 认证 | AEC-Q101 |
| 封装 / 外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 最大功耗 | 360mW (Ta) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23 |
| 导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 | 1.8V @ 50µA |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel, Depletion Mode |
| 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) | 0V, 10V |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 2.8 nC @ 7 V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 68 pF @ 25 V |