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起订量:5000
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 5000+ | $0.14 | $700 |
| 10000+ | $0.13 | $1300 |
| 15000+ | $0.12 | $1800 |
| 25000+ | $0.12 | $3000 |
| 35000+ | $0.11 | $3850 |
| 50000+ | $0.11 | $5500.01 |
| 安装类型 | Surface Mount |
|---|---|
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 最大栅源电压 | ±20V |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 零件状态 | Not For New Designs |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 | 2.5V @ 250µA |
| 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 30 V |
| 封装 / 外壳 | 8-PowerVDFN |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 910 pF @ 15 V |
| 导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 | 12mOhm @ 20A, 10V |
| 供应商器件封装 | 8-DFN-EP (3x3) |
| 最大功耗 | 3.1W (Ta), 23W (Tc) |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 34A (Tc) |