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AO4264E
- 零件编号：
- AO4264E
- 产品分类：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO
- 封装：
- -
- 包装：
- Tape & Reel (TR)
- 数量：
- 1600
- RoHS 状态：
- 支持
起订量：3000
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000+ | $0.34 | $1020 |
| 6000+ | $0.31 | $1860 |
| 9000+ | $0.3 | $2700 |
| 15000+ | $0.29 | $4350 |
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装 / 外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 最大栅源电压 | ±20V |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 60 V |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 | 2.4V @ 250µA |
| 最大功耗 | 3.1W (Ta) |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta) |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1100 pF @ 30 V |
| 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 | 9.8mOhm @ 13.5A, 10V |
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