TK13P25D,RQ

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TK13P25D,RQ

零件编号：

TK13P25D,RQ

产品分类：

制造商：

Toshiba Semiconductor and Storage

描述：

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

TO-252

数量：

3985

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

150°C

漏极至源极电压 (Vdss)

250 V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

3.5V @ 1mA

供应商器件封装

DPAK

封装 / 外壳

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

25 nC @ 10 V

最大功耗

96W (Tc)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

13A (Ta)

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1100 pF @ 100 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

250mOhm @ 6.5A, 10V

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