STN3P6F6

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STN3P6F6

零件编号：

STN3P6F6

产品分类：

制造商：

STMicroelectronics

描述：

MOSFET P-CH 60V SOT223

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

SOT-223

数量：

8254

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

等级

认证

场效应晶体管类型

P-Channel

漏极至源极电压 (Vdss)

60 V

封装 / 外壳

TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装

SOT-223

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

6.4 nC @ 10 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

160mOhm @ 1.5A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

340 pF @ 48 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

3A (Tj)

最大功耗

2.6W (Tc)

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