STF6N65M2

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STF6N65M2

零件编号：

STF6N65M2

产品分类：

制造商：

STMicroelectronics

描述：

MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP

封装：

Tube

包装：

TO-220F

数量：

1885

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

安装类型

Through Hole

零件状态

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场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

4A (Tc)

最大功耗

20W (Tc)

封装 / 外壳

TO-220-3 Full Pack

最大栅源电压

±25V

漏极至源极电压 (Vdss)

650 V

供应商器件封装

TO-220FP

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

9.8 nC @ 10 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

1.35Ohm @ 2A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

226 pF @ 100 V

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