STD2HNK60Z-1

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STD2HNK60Z-1

零件编号：

STD2HNK60Z-1

产品分类：

制造商：

STMicroelectronics

描述：

MOSFET N-CH 600V 2A IPAK

封装：

Tube

包装：

TO-251

数量：

4040

RoHS 状态：

PDF：

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1050

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$577.5

2025

$0.55

$1113.75

5025

$0.49

$2462.25

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产品参数

安装类型

Through Hole

零件状态

Active

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

15 nC @ 10 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

2A (Tc)

漏极至源极电压 (Vdss)

600 V

最大功耗

45W (Tc)

最大栅源电压

±30V

封装 / 外壳

TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

280 pF @ 25 V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4.5V @ 50µA

供应商器件封装

TO-251 (IPAK)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

4.8Ohm @ 1A, 10V

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