STB11NM60T4

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STB11NM60T4

零件编号：

STB11NM60T4

产品分类：

制造商：

STMicroelectronics

描述：

MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

TO-263

数量：

3112

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

场效应晶体管特性

等级

认证

零件状态

Not For New Designs

工作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

11A (Tc)

封装 / 外壳

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

30 nC @ 10 V

供应商器件封装

D2PAK

最大功耗

160W (Tc)

最大栅源电压

±30V

漏极至源极电压 (Vdss)

650 V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

5V @ 250µA

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1000 pF @ 25 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

450mOhm @ 5.5A, 10V

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