SQD35N05-26L-GE3

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SQD35N05-26L-GE3

零件编号：

SQD35N05-26L-GE3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET N-CH 55V 30A TO252

封装：

Tape & Reel (TR)

包装：

TO-252

数量：

1600

RoHS 状态：

NO

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询价

产品参数

零件状态

Obsolete

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

-

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

等级

Automotive

认证

AEC-Q101

最大功耗

50W (Tc)

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

18 nC @ 5 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

2.5V @ 250µA

封装 / 外壳

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

4.5V, 10V

漏极至源极电压 (Vdss)

55 V

供应商器件封装

TO-252AA

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

20mOhm @ 20A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1175 pF @ 25 V

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