SIS496EDNT-T1-GE3

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SIS496EDNT-T1-GE3

零件编号：

SIS496EDNT-T1-GE3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8

封装：

Tape & Reel (TR)

包装：

DFN3*3

数量：

1600

RoHS 状态：

NO

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询价

产品参数

零件状态

Obsolete

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

-

等级

-

认证

-

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

2.5V @ 250µA

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

4.5V, 10V

漏极至源极电压 (Vdss)

30 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

50A (Tc)

最大功耗

52W (Tc)

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

45 nC @ 10 V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

4.8mOhm @ 20A, 10V

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

封装 / 外壳

PowerPAK® 1212-8

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1515 pF @ 15 V

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