SIS407DN-T1-GE3

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SIS407DN-T1-GE3

零件编号：

SIS407DN-T1-GE3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

POWERPAK-1212-8

数量：

41228

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

场效应晶体管类型

P-Channel

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

1V @ 250µA

漏极至源极电压 (Vdss)

20 V

最大栅源电压

±8V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

25A (Tc)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

1.8V, 4.5V

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

封装 / 外壳

PowerPAK® 1212-8

最大功耗

3.6W (Ta), 33W (Tc)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

93.8 nC @ 8 V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

2760 pF @ 10 V

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