SIRA00DP-T1-GE3

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SIRA00DP-T1-GE3

零件编号：

SIRA00DP-T1-GE3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

QFN8

数量：

5479

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

4.5V, 10V

漏极至源极电压 (Vdss)

30 V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

220 nC @ 10 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

2.2V @ 250µA

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

封装 / 外壳

PowerPAK® SO-8

最大功耗

6.25W (Ta), 104W (Tc)

最大栅源电压

+20V, -16V

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

1mOhm @ 20A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

11700 pF @ 15 V

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