SIHP33N60E-GE3

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SIHP33N60E-GE3

零件编号：

SIHP33N60E-GE3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB

封装：

Tube

包装：

TO-220

数量：

2161

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

安装类型

Through Hole

零件状态

Active

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

场效应晶体管特性

等级

认证

供应商器件封装

TO-220AB

封装 / 外壳

TO-220-3

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

150 nC @ 10 V

漏极至源极电压 (Vdss)

600 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

33A (Tc)

最大栅源电压

±30V

最大功耗

278W (Tc)

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

99mOhm @ 16.5A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

3508 pF @ 100 V

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