SI7850ADP-T1-GE3

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SI7850ADP-T1-GE3

零件编号：

SI7850ADP-T1-GE3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

QFN

数量：

5904

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

漏极至源极电压 (Vdss)

60 V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

17 nC @ 10 V

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

4.5V, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

2.8V @ 250µA

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

封装 / 外壳

PowerPAK® SO-8

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

19.5mOhm @ 10A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

790 pF @ 30 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

10.3A (Ta), 12A (Tc)

最大功耗

3.6W (Ta), 35.7W (Tc)

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