SI7434DP-T1-E3

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SI7434DP-T1-E3

零件编号：

SI7434DP-T1-E3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

封装：

Tape & Reel (TR)

包装：

QFN

数量：

1600

RoHS 状态：

NO

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询价

产品参数

零件状态

Obsolete

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

4V @ 250µA

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

-

等级

-

认证

-

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

漏极至源极电压 (Vdss)

250 V

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

50 nC @ 10 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

2.3A (Ta)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

6V, 10V

最大功耗

1.9W (Ta)

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

封装 / 外壳

PowerPAK® SO-8

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

155mOhm @ 3.8A, 10V

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