SI7113DN-T1-GE3

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SI7113DN-T1-GE3

零件编号：

SI7113DN-T1-GE3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

QFN

数量：

7925

RoHS 状态：

PDF：

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总价

$2.42

$1.55

$15.5

100

$1.05

$105

500

$0.84

$420

1000

$0.77

$770

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产品参数

零件状态

Obsolete

安装类型

Surface Mount

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压 (Vdss)

100 V

最大栅源电压

±20V

场效应晶体管特性

等级

认证

场效应晶体管类型

P-Channel

工作温度

-50°C ~ 150°C (TJ)

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

4.5V, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

3V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

55 nC @ 10 V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

13.2A (Tc)

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

封装 / 外壳

PowerPAK® 1212-8

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

134mOhm @ 4A, 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1480 pF @ 50 V

最大功耗

3.7W (Ta), 52W (Tc)

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