SI7106DN-T1-GE3

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SI7106DN-T1-GE3

零件编号：

SI7106DN-T1-GE3

产品分类：

制造商：

Vishay Siliconix

描述：

MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8

封装：

Cut Tape (CT)

包装：

QFN

数量：

4485

RoHS 状态：

PDF：

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产品参数

零件状态

Active

安装类型

Surface Mount

场效应晶体管类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管特性

等级

认证

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流

1.5V @ 250µA

漏极至源极电压 (Vdss)

20 V

最大栅源电压

±12V

驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）

2.5V, 4.5V

连续漏极电流 (Id) @ 25°C

12.5A (Ta)

最大功耗

1.5W (Ta)

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

27 nC @ 4.5 V

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

封装 / 外壳

PowerPAK® 1212-8

导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压

6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V

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